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仪表仪表网 仪表会议】2018年9月25日，国家重点研发计划“纳米科技”重点专项项目“高性能中远红外半导体激光器与探测成像芯片及应用”和“多场耦合纳米异质结构光电子器件的基础研究”在北京联合召开启动实施会议。
专项总体专家组专家祝世宁院士、刘明院士、黄如院士以及同行专家解思深院士、郑有炓院士、夏建白中院士等10余位专家组成专家组，项目依托单位南京大学和中国科学院半导体研究所代表，科技部高技术中心“纳米科技”重点专项管理办公室(以下简称“专项办”)相关同志出席了会议。
会上，项目负责人施毅教授和陈弘达教授分别汇报了项目总体情况、组织实施机制和实施方案等内容，专项办对项目的组织实施提出了具体要求。“高性能中远红外半导体激光器与探测成像芯片及应用”项目针对我国国防装备、遥感探测等领域战略需求，以研制高性能中远红外量子级联激光器(QCL)和锑化物探测成像芯片为核心目标开展深入系统研究。“多场耦合纳米异质结构光电子器件的基础研究”项目围绕多场耦合纳米异质结构光电子器件中的基础科学问题开展研究，目标是推动我国光电子器件研发和制备技术。
专家们就项目的研究内容、技术路线和实施方案等内容进行了咨询指导，指出半导体激光器、探测成像芯片和光电子器件等纳米器件的研发和制备是我国面临的重要战略性问题，目前国内在纳米器件方面的研究发展迅速，纳米器件的产业化应用前景广阔。
与会专家提出项目要紧密围绕专项的总体目标和预定的研究任务开展工作，坚持以解决国家在芯片领域的重大需求为导向，不断开展自主创新。各课题负责人要根据项目的总体目标，加强各课题之间的合作和资源共享。从机理研究、技术研发到成果转化开展系统研究，力争在解决国家芯片领域的重大需求方面提供有力的技术和理论支撑。
(原文标题：“纳米科技”重点专项项目“高性能中远红外半导体激光器与探测成像芯片及应用”和“多场耦合纳米异质结构光电子器件的基础研究”联合召开启动实施会议)
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